多年的設(shè)備實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)
在電子設(shè)備高性能化、輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)下,散熱技術(shù)成為制約產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵瓶頸。超薄VC(Vapor Chamber)均溫板憑借其優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和輕薄結(jié)構(gòu),成為5G手機(jī)、超極本、高功率芯片等領(lǐng)域的理想散熱方案。而蝕刻機(jī)作為VC均溫板制造的核心設(shè)備,其工藝精度直接決定了均溫板的性能上限。
技術(shù)突破:超薄VC蝕刻機(jī)的核心優(yōu)勢(shì)
微米級(jí)蝕刻精度
傳統(tǒng)蝕刻工藝難以滿足超薄VC對(duì)毛細(xì)結(jié)構(gòu)的精細(xì)化要求(通常需50μm以下溝槽寬度)。新一代蝕刻機(jī)采用高精度掩模對(duì)準(zhǔn)與可控離子束技術(shù),可實(shí)現(xiàn)±2μm的蝕刻公差,確保均熱板內(nèi)部毛細(xì)結(jié)構(gòu)的均勻性和蒸汽通道的流暢性。
異形結(jié)構(gòu)加工能力
針對(duì)VC均溫板的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)(如銅箔+支撐柱+燒結(jié)粉末),蝕刻機(jī)需兼容化學(xué)蝕刻與物理雕刻的混合工藝。例如,通過脈沖激光輔助蝕刻,可在單次加工中完成微柱陣列與毛細(xì)溝槽的同步成型,提升生產(chǎn)效率30%以上。
超薄基材適應(yīng)性
為應(yīng)對(duì)0.1mm厚度以下的銅箔加工,設(shè)備采用真空吸附+靜電夾持的雙重固定系統(tǒng),避免材料變形;同時(shí)配備實(shí)時(shí)厚度監(jiān)測(cè)模塊,動(dòng)態(tài)調(diào)整蝕刻參數(shù),確保成品良率≥98%。
行業(yè)應(yīng)用與挑戰(zhàn)
消費(fèi)電子領(lǐng)域:華為、蘋果等廠商已將超薄VC用于旗艦機(jī)型,蝕刻機(jī)需滿足百萬級(jí)產(chǎn)能需求,推動(dòng)設(shè)備向多腔體并聯(lián)設(shè)計(jì)發(fā)展。
半導(dǎo)體散熱:3D封裝芯片對(duì)均溫板提出更高熱流密度要求,蝕刻工藝需進(jìn)一步突破納米級(jí)孔隙加工技術(shù)。
當(dāng)前技術(shù)難點(diǎn)在于蝕刻液環(huán)保處理(如無氰化物蝕刻劑開發(fā))和設(shè)備成本控制(單臺(tái)進(jìn)口設(shè)備價(jià)格超200萬美元)。未來,國產(chǎn)蝕刻機(jī)若能在高精度運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)和工藝數(shù)據(jù)庫上實(shí)現(xiàn)突破,將加速VC均溫板的普及進(jìn)程。
結(jié)語
超薄VC均溫板蝕刻機(jī)不僅是精密制造的標(biāo)桿,更是散熱技術(shù)迭代的“幕后推手”。隨著AI算法在蝕刻路徑優(yōu)化中的應(yīng)用,以及新型蝕刻介質(zhì)的出現(xiàn),這一裝備有望推動(dòng)電子設(shè)備散熱進(jìn)入“微納時(shí)代”。
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